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纳米硅/晶体硅/非晶硅锗混合型异质结(HIT)太阳电池的研究(863)
  日期:2006-12-19     【背景色 杏仁黄 秋叶褐 胭脂红 芥末绿 天蓝 雪青 灰 银河白(默认色) 】  【字体:
 

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纳米晶硅薄膜的优化:使用甚高频PECVD沉积技术或使用射频PECVD技术但采用高氢稀释率制备纳米晶硅薄膜,并研究其相变条件,着重研究通过控制实验条件来控制薄膜的禁带宽度,为后续的能带匹配研究提供基础。非晶硅锗薄膜制备条件的优化。

2

纳米晶硅/晶体硅界面、非晶硅锗/晶体硅界面的优化设计及研究。着重在于界面能带匹配的研究,界面缺陷能级水平的控制,界面空间结构失配研究。

3

电池制备工艺的优化。包括:衬底类型的优化、前发射极的制备、后高低结的制备、透明导电膜的制备、栅线电极的制备等。

4

电池系统的优化和产业化技术路线的研究。

  
  
  
  

 
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