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研究部拥有700m2公共超净实验室,2间普通研究与测试实验室,具有以下功能:可应用电子束曝光、光刻等工艺进行集成电路掩模版、微结构与微器件、MEMS加工与制作,以及应用各种显微镜进行表面形貌观测与分析。

实验设备

序号

设备名称

性能

用途

1

UREL2000B
深紫外
(365nm)
光刻机

光刻分辨率:1μm  

套刻精度:0.3μm
线条陡度:83  

线条高宽比:> 20 : 1

电子、微光学、微机械系统、红外器件、准LIGA及声波表面器件等的深层光刻

2

KYKY-AMRAY1000B
扫描电子显微镜(SEM

二次电子像分辨率6012mm工作距离时放大倍数从15倍到25000

微观表面形貌观测,半导体P-N结内部缺陷观测

3

QUESANT原子力
显微镜(AFM)

纵向分辨率:0.1 nm

横向分辨率:0.2nm

微观表面形貌测量

4

电子束曝光制版机(EBL)

最小线宽:1μm

集成电路掩模版加工,微细图形加工

5

Leica光学显微镜

放大倍数:1600

微结构、粒子组分以及表面形貌的定量和定性分析

7

DZ2672A交、直流

耐压测试仪

测试电压AC/DC0-5kV±3%
漏电流AC0-20mA±3%

DC0-10mA±3%
分辨率:0.1mA

微量痕量样品电泳检测

8

KW型匀胶机

档转速:5002500/
档匀胶时间:218
档转速:10008000/
档匀胶时间:360

Φ5Φ100mm及其他材料等的匀胶

9

DKP290型等离子体刻蚀设备

反应室尺寸:Φ344×105

上下电极直径:Φ290

反应室极限真空度:>10×10-3

表面钝化PECVD氮化硅膜、多晶硅、铬氧化铬、二氧化硅、铝的刻蚀

10

阻抗分析仪PV50A

测量范围:100Hz100KHz

测量精度:0.5

测量速度:720/ms

压电陶瓷的性能参数分析和评估,可测量压电陶瓷的谐振频率、反谐振频率、静态电容、动态阻抗、机械品质因素、机电耦合系数、导纳圆等。



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